窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 竹内 哲也; 金子 和; 山田 範秀; 天野 浩; 赤▲崎▼ 勇 |
| 发表日期 | 2000-04-28 |
| 专利号 | JP2000124552A |
| 著作权人 | AGILENT TECHNOL INC |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】レーザ発振光の遠視野像が単峰性を示す効率の良い窒化物半導体レーザ素子の構成とその製造方法とを与える。 【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子は、AlNを含む低温堆積緩衝層と、クラッド層として該低温堆積緩衝層直上に成長したAlNを含むことにより、クラック発生なく有効に光を閉じ込めができる構造を有する。そして、出射レーザ光の遠視野における強度分布である遠視野像が単峰性を示すように前記窒化物半導体単結晶層の厚さとAlNのモル分率の少なくとも一方を調整できる特徴を有する。 |
| 公开日期 | 2000-04-28 |
| 申请日期 | 1998-10-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86895]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | AGILENT TECHNOL INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 哲也,金子 和,山田 範秀,等. 窒化物半導体レーザ素子. JP2000124552A. 2000-04-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。