半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 辰巳 正毅 |
| 发表日期 | 1999-03-09 |
| 专利号 | JP1999068226A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層への電流通路上の一部に高抵抗領域を形成し、活性層に対して電流非注入領域が設けられ、該電流非注入領域を可飽和吸収層として作用させた自励発振型の低雑音半導体レーザ素子において、雑音特性の歩留まりを向上させ、信頼性の高い半導体レーザ素子の構造、製造方法を提供する。 【解決手段】 活性層への電流通路に選択的に高抵抗領域を形成して、電流非注入領域を形成してなる半導体レーザ素子において、前記高抵抗領域がAlを含む半導体層に形成されたAlの酸化物であることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1999-03-09 |
| 申请日期 | 1997-08-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86913]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辰巳 正毅. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1999068226A. 1999-03-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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