半導体素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 櫛部 光弘; 藤本 英俊 |
| 发表日期 | 2000-06-30 |
| 专利号 | JP2000183460A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 基板とバッファー層の界面で反射した強い光がデバイスの発光領域や能動領域にに戻る影響を低減すること。 【解決手段】 (0001)面上に厚膜をはやした後に研磨、エッチングを行いあるいは(0001)面上に選択成長を行うことで(0001)面基板上に(0001)とことなる面を形成しその上にAlGaNを用いた素子を形成する。また基板に(11-2n)面等の高指数面のGaN、SiC,AlNを用いてその上にAlGaNを用いた素子を形成する。 |
| 公开日期 | 2000-06-30 |
| 申请日期 | 1998-12-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86915]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 櫛部 光弘,藤本 英俊. 半導体素子およびその製造方法. JP2000183460A. 2000-06-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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