半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 高橋 孝志 |
| 发表日期 | 2006-10-12 |
| 专利号 | JP2006279079A |
| 著作权人 | 株式会社リコー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 エッチング深さの制御性が良好で製造が容易であり、動作電圧を低減させたInを含む活性層を有する屈折率導波型のIII族窒化物材料系の半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 基板上に、少なくとも、第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型エッチングストップ層,第1導電型または半絶縁性の電流狭窄層,第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層を含む構造が積層されており、活性層はInを含むIII族窒化物材料からなり、第2導電型エッチングストップ層は、Inを含むIII族窒化物材料で活性層よりも禁制帯幅の大きい材料からなり、第1導電型または半絶縁性の電流狭窄層は、Inを含まずに少なくともAsまたはPを含むIII族窒化物材料からなり、第2導電型エッチングストップ層の表面までエッチングされてストライプ領域が形成されている。 【選択図】図5 |
| 公开日期 | 2006-10-12 |
| 申请日期 | 2006-07-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86916]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社リコー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高橋 孝志. 半導体発光素子. JP2006279079A. 2006-10-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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