半導体レ-ザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 松山 隆之 |
| 发表日期 | 1993-02-05 |
| 专利号 | JP1993029703A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ-ザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、メサ、トレンチを形成しないプレ-ナ構造で、寄生容量を十分に低減し、超高速動作をする素子を歩留まり良く得ることのできる半導体レ-ザ素子を提供することを特徴とする。 【構成】n-InP基板1上に回折格子2、その上にn-InGaAsガイド層3、InGaAsP活性層4、アンチメルトバック層5、p-InPクラッド層6、p-InGaAsPコンタクト層7を形成する。それらをメサ状に加工する。次に、メサ周辺にp-InP埋め込み層8、キャリア濃度が3×1016cm-3のn-InP埋め込み層9、n-InGaAsキャップ層10をプレ-ナ構造に形成する。コンタクト層表面に、ストライプ状の幅8μmのAuZn層11を形成する。よって、電極幅が10μm以下、かつキャリア濃度が5×1016cm-3以下であるプレ-ナ構造であることを特徴としている。 |
| 公开日期 | 1993-02-05 |
| 申请日期 | 1991-07-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86918]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松山 隆之. 半導体レ-ザ素子. JP1993029703A. 1993-02-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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