半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 林 伸彦; 太田 潔 |
| 发表日期 | 2000-06-30 |
| 专利号 | JP2000183451A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 基板の表面に対して垂直な共振器面を容易に形成することが可能でかつ歩留りが向上された窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。 【解決手段】 サファイア基板1の(0001)面に、サファイア基板1の〈11-20〉方向に平行な側面101および底面102を有する段差部100を形成する。サファイア基板1の上面上ならびに段差部100の側面101上および底面102上に、MQW発光層7を含むGaN系半導体層15をエピタキシャル成長させる。GaN系半導体層15の結晶成長中に、段差部100の側面101上にサファイア基板1の(0001)面に対して完全に垂直な{11-20}面が形成される。段差部100の側面101上のGaN系半導体層15の{11-20}面を共振器面200として用いる。 |
| 公开日期 | 2000-06-30 |
| 申请日期 | 1998-12-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86920]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林 伸彦,太田 潔. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2000183451A. 2000-06-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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