半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 山本 知生 |
| 发表日期 | 1999-08-06 |
| 专利号 | JP1999214787A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 埋め込み型半導体レーザ等の半導体素子において、レーザ発振の閾値電流の経時的増大やレーザ光出力の経時的低下等の特性の劣化を低減する。 【解決手段】 活性層3と、前記活性層を埋め込む電流狭窄部6と、前記活性層3に電流を注入するための電流注入電極8と、を備え、前記電流注入電極8は、前記電流狭窄部6の表面に接触しないようにしている。 |
| 公开日期 | 1999-08-06 |
| 申请日期 | 1998-01-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86927]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 知生. 半導体素子. JP1999214787A. 1999-08-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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