化合物半導体薄膜積層構造の形成方法及び高電子移動度トランジスタの作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 石川 秀人 |
| 发表日期 | 1997-02-14 |
| 专利号 | JP1997045625A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体薄膜積層構造の形成方法及び高電子移動度トランジスタの作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】歪み系の化合物半導体薄膜積層構造においても、格子整合系と同程度まで、膜厚や、場合によってはドーピング特性等に、ばらつきの無い、化合物半導体薄膜積層構造の形成方法を提供する。 【解決手段】化合物半導体薄膜積層構造の形成方法は、バッファ層、チャネル層、スペーサ層及び電子供給層が順次積層されて成る化合物半導体薄膜積層構造を、有機金属気相成長法にて基板上に形成する方法であって、スペーサ層の成長速度を0.01乃至0.2nm/秒とすることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1997-02-14 |
| 申请日期 | 1995-07-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86928]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 秀人. 化合物半導体薄膜積層構造の形成方法及び高電子移動度トランジスタの作製方法. JP1997045625A. 1997-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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