半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大山 尚一 |
| 发表日期 | 2000-05-30 |
| 专利号 | JP2000150953A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 レンズ等の光学系の負担を軽減しつつ、発光した光の良好な指向性を確保することができる半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体発光素子110は、基板15Aと、基板15A上に形成され基板15Aを露出する穴6AHを有するN型ブロック層6Aと、N型ブロック層6Aおよび基板15Aの露出面上に形成されたP型クラッド層5A、P型クラッド層5A上に形成され光を発光する活性領域10Aを有しているP型活性層4Aと、活性領域10Aに対して基板15Aと反対側に形成され活性領域10Aから発光した光を取り出す光取り出し穴1AHを有するN側電極1Aと、基板15Aに対して活性領域10Aと反対側に形成されたP側電極7Aとを備えており、活性化領域10AとN側電極1Aとの間に形成され、活性領域10Aから発光した光を反射して集光させる反射層9を備えている。 |
| 公开日期 | 2000-05-30 |
| 申请日期 | 1998-11-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86951]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大山 尚一. 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法. JP2000150953A. 2000-05-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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