半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮永 良子; 上山 智; 吉井 重雄; 佐々井 洋一 |
| 发表日期 | 1999-07-09 |
| 专利号 | JP1999186646A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 II-VI族半導体レーザに用いられている絶縁層材料の熱伝導性を高め、リッジストライプの場合ではII-VI族半導体との屈折率差を大きくし、低閾値電流動作、高信頼性の半導体レーザを得ることを目的とする。 【解決手段】 単結晶基板111上にn型クラッド層114、活性層116、p型クラッド層118、及びp型コンタクト層119が順次形成された半導体レーザにおいて、熱伝導性の高いストライプ状の開口を有する多結晶SiまたはGeを含有する絶縁膜122を形成する。そして、好ましくは、SiまたはGeを含有する層の下にZnS、ZnSe、CdSe、ZnTeのいずれかを密着性を高めるために形成する。 |
| 公开日期 | 1999-07-09 |
| 申请日期 | 1997-12-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86952]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮永 良子,上山 智,吉井 重雄,等. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1999186646A. 1999-07-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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