半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 佐々井 洋一; 上村 信行; 上山 智; 久保 実; 西川 孝司 |
| 发表日期 | 1996-05-21 |
| 专利号 | JP1996130345A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 フェイスダウン実装可能で、信頼性が高く、低しきい値電流密度で動作し、単一モードで連続発振可能な屈折率導波型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 半導体基板と、半導体基板に保持されており、半導体基板と格子整合する第1の導電型のZnMgSSeからなる第1のクラッド層16と、半導体基板と格子整合する第2の導電型のZnMgSSeからなり、ストライプ状の第2のクラッド層24と、発光層18と、該半導体基板と格子整合するZnMgSSeからなり、該第2のクラッド層の側面に設けられた埋め込み層26とを有する半導体レーザ。 |
| 公开日期 | 1996-05-21 |
| 申请日期 | 1995-09-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86953]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々井 洋一,上村 信行,上山 智,等. 半導体レーザ. JP1996130345A. 1996-05-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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