分布帰還型半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松村 篤志 |
| 发表日期 | 2008-09-25 |
| 专利号 | JP2008227185A |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】複数のDFBレーザにおいて回折格子の結合係数κのばらつきを抑制することができる分布帰還型半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】DFBレーザDFBnは、以下のように製造される。まず、活性層An上に、表面に周期的な複数の溝22(回折格子)が形成された回折格子層Gnを形成する。次に、回折格子層Gn上にクラッド層24を形成する。回折格子層Gnのバンドギャップ波長λEnは、予め算出されたDFBレーザDFBnの発振波長λnと回折格子層Gnのバンドギャップ波長λEnとの相関関係に基づいて決定される。この相関関係は、回折格子層Gnの結合係数κが一定であり、複数の溝22の深さDが一定であり、クラッド層24のバンドギャップ波長λEcladが一定である場合に算出される。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2008-09-25 |
| 申请日期 | 2007-03-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86966]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松村 篤志. 分布帰還型半導体レーザの製造方法. JP2008227185A. 2008-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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