半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 竹見 政義; 太田 徹; 龍竹 史朗 |
| 发表日期 | 2004-04-15 |
| 专利号 | JP2004119467A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】回折格子の上にクラッド層を介して活性層を有する半導体レーザ装置において、回折格子の結合係数を大きく、発光特性を良くする。 【解決手段】この発明に係る半導体レーザ装置は、n-InP基板12の表面上にn-InGaAsPにより形成されレーザ光の導波方向に周期的に並列した貫通孔16aを有するn型の回折格子層16を配設し、この回折格子層16の貫通孔16aを不純物としてのSを1×1019cm-3以上含むn-InP層18により埋込み、この貫通孔16を埋没させるとともに、このn-InP層18および回折格子層16の上にn-InPクラッド層20、このn-InPクラッド層の上に活性層22、この活性層22上にp-InPクラッド層24を順次配設したものである。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-04-15 |
| 申请日期 | 2002-09-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86972]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹見 政義,太田 徹,龍竹 史朗. 半導体レーザ装置. JP2004119467A. 2004-04-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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