半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 長谷川光利 |
| 发表日期 | 1995-01-31 |
| 专利号 | JP1995030195A |
| 著作权人 | キヤノン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】各プロセスが容易に実施できて、作業時間が短縮され、歩留まり、制御性が向上する屈折率導波型半導体レーザ素子等の半導体素子の製造方法及びその半導体素子である。 【構成】半導体基板21上に、所望の屈折率導波路となる領域以外にマスク層25を設け、この基板21をエッチングして所望の屈折率導波路となる領域に溝部21aを形成する。更に、基板21の溝部21aに底面を除いて誘電体膜26を形成し、溝部底面上に誘電体膜26を選択マスクとして、選択的に導波路構造22、23、24を形成する。 |
| 公开日期 | 1995-01-31 |
| 申请日期 | 1993-07-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86978]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | キヤノン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長谷川光利. 半導体素子及びその製造方法. JP1995030195A. 1995-01-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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