半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 堂免 恵; 穴山 親志; 近藤 真人 |
| 发表日期 | 1994-06-10 |
| 专利号 | JP1994164054A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体発光装置に関し、極めて簡単で且つ容易に実施できる手段で、クラッド層から活性層にp型不純物が拡散されないようにして、半導体レーザの特性が劣化するのを防止する。 【構成】 Zn或いはMgであるp型不純物を含有したp型AlGaInPクラッド層16並びにノンドープであるGaInP活性層14の間に前記Zn或いはMgであるp型不純物及びSeを共にドーピングしたAlGaInP不純物拡散抑止層15を介在させてある。 |
| 公开日期 | 1994-06-10 |
| 申请日期 | 1992-11-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86980]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堂免 恵,穴山 親志,近藤 真人. 半導体発光装置. JP1994164054A. 1994-06-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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