半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 石村 栄太郎 |
| 发表日期 | 1993-11-26 |
| 专利号 | JP1993315706A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 作製が容易で、波長制御電流に対する波長変化のレスポンスの良い半導体レーザを得る。 【構成】 半導体基板1上に順次形成された活性層2,上クラッド層4,及びコンタクト層5を有し、上記活性層2のストライプ状の領域に電流を注入してレーザ動作を行なうものにおいて、上記上クラッド層4の上記ストライプ状活性領域2直上の部分に接する部分に層と平行方向にかつ上記ストライプ方向に対し垂直方向に電流を流す一対の電極8a,8bを備えた構成とした。 【効果】 構造が簡単になり製造を容易とでき、また抵抗膜から活性層への熱伝達が良好となり、制御電流に対する波長変化のレスポンスを向上できる。 |
| 公开日期 | 1993-11-26 |
| 申请日期 | 1992-05-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86981]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石村 栄太郎. 半導体レーザ. JP1993315706A. 1993-11-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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