半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 丸谷 幸利 |
| 发表日期 | 2001-10-12 |
| 专利号 | JP3239528B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 レーザ共振器からの光のの出射方向が共振器端面と直交する方向となり、モノリシックまたはハイブリッドに光導波路と組み合わせる場合の結合効率の向上をはかる。 【構成】 {100 }結晶面を主面とする化合物半導体基体1上に、〈01-1〉結晶軸方向に延長する縁部2sを有する逆メサのリッジ2を形成し、リッジ2の上に第1のクラッド層3、活性層4及び第2のクラッド層5を結晶成長し、{111 }A 結晶面の成長率をgr(111)A、{100 }結晶面の成長率をgr(100) 、{011 }結晶面の成長率をgr(011) 、{110 }結晶面と{111 }A 結晶面とのなす角度をθとすると、φ1 =tan-1[√2gr(111)A/(√3 gr(100) -gr(111)A)]、φ2 =tan-1[gr(011) /(√3gr(111)A-√2gr(011) )]、α=90°+φ2 -φ1 -θで表される角度αが、α≦0°となるようにエピタキシャル成長を行う。 |
| 公开日期 | 2001-12-17 |
| 申请日期 | 1993-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86988]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丸谷 幸利. 半導体レーザの製造方法. JP3239528B2. 2001-10-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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