半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 沢野 博之; 上野 芳康 |
| 发表日期 | 1998-03-13 |
| 专利号 | JP2757913B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 高温においても低雑音動作可能な半導体レーザを実現する。 【解決手段】 レーザ共振器内部に可飽和吸収体を設けた半導体レーザにおいて、半導体層の積層方向における光導波姿態のスポットサイズを0.4μmを越える値とし、光出射端面の前面及び後面に反射率50%以上の高反射膜31及び32を形成する。反射率を高めたことによって、ミラー損失が低減し、60℃の高温雰囲気下においてもセルフパルセーション動作が得られる。また、スポットサイズが大きいので、高い光出射端面反射でありながらも長期信頼性動作に問題のない高い端面破壊出力レベルが得られる。 |
| 公开日期 | 1998-05-25 |
| 申请日期 | 1996-01-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86992]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沢野 博之,上野 芳康. 半導体レーザ. JP2757913B2. 1998-03-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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