半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 粂 雅博; 伴 雄三郎; 石橋 明彦; 上村 信行; 武石 英見; 木戸口 勲 |
| 发表日期 | 1997-10-14 |
| 专利号 | JP1997270569A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 しきい値電流が低く、収差のないレーザ光が得られる、GaN系半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 本発明による半導体レーザ装置は、基板112と、該基板112上に設けられた積層構造体150とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体レーザ装置であって、該積層構造体150は、少なくとも第1領域に形成されたInzGa1-zN活性層115(0≦z≦1)と、該活性層115を挟む一対のn型AlxGa1-xNクラッド層114(0≦x≦1) 及びp型AlyGa1-yNクラッド層116、118(0≦y≦1)と、AluGa1-uN(0≦u≦1)から形成されており、電流を該第1領域に狭窄するための該第1領域に対応する開口部180を有する電流狭窄構造117とを備えている。 |
| 公开日期 | 1997-10-14 |
| 申请日期 | 1997-01-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87004]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 粂 雅博,伴 雄三郎,石橋 明彦,等. 半導体レーザ装置. JP1997270569A. 1997-10-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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