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レーザ光発生装置

文献类型:专利

作者木島 公一朗; 甲賀 祐二; 田口 歩; 小川 剛
发表日期2001-09-14
专利号JP3230301B2
著作权人ソニー株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名レーザ光発生装置
英文摘要【構成】 半導体レーザ素子1からのレーザ光が入射される光導波路4が分極反転構造を有するLN-X基板(LiNbO3 のX基板)上に形成された光導波路素子である波長変換素子6を有し、光導波路4と半導体レーザ素子1とが近接するように配置し、光導波路素子6の主面を基板11に対し直角となるように部材20を介して固定する。 【効果】 半導体レーザ素子1からのレーザ光を安定して光導波路4に導波させることができる。
公开日期2001-11-19
申请日期1992-11-17
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87013]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ソニー株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
木島 公一朗,甲賀 祐二,田口 歩,等. レーザ光発生装置. JP3230301B2. 2001-09-14.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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