半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 城岸 直輝; 大木 智之; 増井 勇志; 幸田 倫太郎; 荒木田 孝博 |
| 发表日期 | 2010-02-25 |
| 专利号 | JP2010045249A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】光出力の温度依存性を低減することの可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】下部DBR層18と下部クラッド層11との間、すなわち、キャビティ内に基板10が設けられている。これにより、半導体レーザ1の実効的な共振器長が基板10の厚さの分だけ長くなり、複数の軸モードで発振が生じるので、温度変化により発振波長がシフトした場合であっても、いずれかの軸モードにおいて、シフトした後の発振波長における波長オフセット量が、光出力が最大となるときの波長オフセット量と等しいか、それに近い値になる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-02-25 |
| 申请日期 | 2008-08-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87023]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 城岸 直輝,大木 智之,増井 勇志,等. 半導体発光素子およびその製造方法. JP2010045249A. 2010-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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