半導体素子および半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 小林 俊雅; 宮嶋 孝夫; 小沢 正文 |
| 发表日期 | 1999-05-11 |
| 专利号 | JP1999126947A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子および半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 電極の密着性を改善することができる半導体素子を提供する。 【解決手段】 サファイアよりなる基板10の上にIII族ナイトライド化合物半導体よりそれぞれなるn側コンタクト層13,n型クラッド層14,活性層15,p型クラッド層16,p側コンタクト層17を順次積層する。p側コンタクト層17の上には絶縁膜18の開口18aを介してp側電極19が形成され、p側電極19および絶縁層18の上にはp側電極19の全面を覆うようにコンタクト用電極20が形成される。p側電極19はNiを含む金属により構成し、コンタクト用電極20はTiを含む金属により構成する。p側電極19によりオーミック接触を確保し、コンタクト用電極20によりp側電極19の密着性を補強する。 |
| 公开日期 | 1999-05-11 |
| 申请日期 | 1997-10-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87025]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 俊雅,宮嶋 孝夫,小沢 正文. 半導体素子および半導体発光素子. JP1999126947A. 1999-05-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。