半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 木村 明隆 |
| 发表日期 | 2000-10-24 |
| 专利号 | JP2000299528A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】電極を精度良く所定の位置に形成することができ、電極形成位置にずれが生じた場合であっても良好な電流狭窄が実現することができ、半導体層や絶縁膜との密着性が良好な、リッジ導波路型半導体レーザを提供すること。 【解決手段】p型クラッド層112に設けられたリッジ部120の上に、p型コンタクト層101および第一の電極層113を形成する。第一の電極層113は、第1層目がNi、第2層目がPtからなる2層構造とする。第一の電極層113およびp型クラッド層112の上に、酸化珪素膜102および第二の電極層114をこの順で形成する。第二の電極層114は、第1層目がTi、第2層目がPt、第3層目がAuからなる3層構造とする。酸化珪素膜102には第一の電極層113に達する接続孔が設けられており、この接続孔を介して第二の電極層114と第一の電極層113とを接続する。 |
| 公开日期 | 2000-10-24 |
| 申请日期 | 1999-04-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87035]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木村 明隆. 半導体レーザおよびその製造方法. JP2000299528A. 2000-10-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。