半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 尾江 邦重; 朝日 一 |
| 发表日期 | 1999-09-17 |
| 专利号 | JP1999251676A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 光通信に適した温度特性のよい半導体レーザを提供する。 【解決手段】 活性層にGaTlNAs混晶を用いることより、従来のGaInNAs混晶に比べて少ないN量で光通信波長帯のしきい値電流の温度特性のよい半導体レーザを得る。 |
| 公开日期 | 1999-09-17 |
| 申请日期 | 1998-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87036]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尾江 邦重,朝日 一. 半導体レーザ. JP1999251676A. 1999-09-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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