半導体レーザアレイ装置
文献类型：专利
| 作者 | 粂 雅博; 内藤 浩樹; 太田 一成; 清水 裕一 |
| 发表日期 | 1993-07-02 |
| 专利号 | JP1993167175A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザアレイ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 電流ブロック層にクラッド層よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい半導体層を用いて低動作電流で位相同期発振させ、大出力の半導体レーザアレイ装置を実現する。 【構成】 一導電型の半導体基板1の上に一導電型の第1の半導体層3、第1の半導体層3より禁制帯幅が小さい第2の半導体層4、逆導電型で第2の半導体層4より禁制帯幅が大きい第3の半導体層5が形成されており、第3の半導体層5にはストライプ状のリッジ5aが2本以上平行に並んでおり、各リッジ5aの間の溝が一導電型または高抵抗で、かつ第3の半導体層5より屈折率が小さいかまたは禁制帯幅が大きいかの少なくともどちらかである第4の半導体層7で埋められている。 |
| 公开日期 | 1993-07-02 |
| 申请日期 | 1991-12-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87037]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 粂 雅博,内藤 浩樹,太田 一成,等. 半導体レーザアレイ装置. JP1993167175A. 1993-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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