ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル層および半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 松岡 隆志 |
| 发表日期 | 1998-05-22 |
| 专利号 | JP1998135140A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル層および半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 エピタキシャル成長層や基板に歪み、クラック等を発生しないヘテロエピタキシャル成長方法およびその方法により成長したヘテロエピタキシャル層を提供することにある。 【解決手段】 基板上に、基板とは異なる格子定数を有する半導体層を成長させるヘテロエピタキシャル成長方法が、基板上の所定部位に半導体層を選択成長させるための開口部を有する層を形成して開口部によって基板の所定部位を露出させる工程と、開口部によって露出された基板の表面上に半導体層を選択的にヘテロエピタキシャル成長させる工程とを備えている。 |
| 公开日期 | 1998-05-22 |
| 申请日期 | 1996-10-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87041]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松岡 隆志. ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル層および半導体発光素子. JP1998135140A. 1998-05-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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