半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 直江 和彦 |
| 发表日期 | 1999-09-17 |
| 专利号 | JP1999251682A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】劈開工程に起因する半導体光素子の特性不良を低減し、かつ劈開工程における素子歩留まりを飛躍的に向上させる。 【解決手段】半導体素子表面光導波路方向と垂直方向に、キャビティを構成しない側の素子端面からもう一方の同端面に渡ってストライプ状の裏面電極を形成しかつ、半導体光素子表面光導波路方向と垂直方向にのみ半導体基板材料で構成された劈開しろを形成した構造をとる。 |
| 公开日期 | 1999-09-17 |
| 申请日期 | 1998-03-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87044]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 直江 和彦. 半導体光素子. JP1999251682A. 1999-09-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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