半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 下山 謙司; 清見 和正 |
| 发表日期 | 2001-01-26 |
| 专利号 | JP2001024281A |
| 著作权人 | 三菱化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 高出力においてもCODすることなく、かつキンクレベルが高い高性能な半導体発光装置を提供すること。 【解決手段】 基板、該基板上に形成された第1導電型光ガイド層、前記光ガイド層上であって端面近傍を除く部分に形成された活性層、前記活性層上に形成された第2導電型第1クラッド層、前記第2導電型第1クラッド層上および前記光ガイド層上の端面近傍部分に形成されたストライプ状の開口部を有する電流ブロック層、前記ストライプ状の開口部上の少なくとも一部に形成された第2導電型第2クラッド層を有することを特徴とする半導体発光装置。 |
| 公开日期 | 2001-01-26 |
| 申请日期 | 1999-07-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87048]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 下山 謙司,清見 和正. 半導体発光装置. JP2001024281A. 2001-01-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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