半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 大郷 毅 |
| 发表日期 | 2006-12-14 |
| 专利号 | JP2006339311A |
| 著作权人 | FUJIFILM HOLDINGS CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 傾斜基板を用いたInAlGaP系半導体レーザにおいて、ステップバンチングによる特性悪化を防止して、良好な静特性を得るとともに、長寿命化を達成する。 【解決手段】 面方位が傾斜している第一導電型GaAs基板21上に、少なくとも第一導電型Inx1(Al1-y1Gay1)1-x1P下部クラッド層(x1はGaAsに格子整合する組成)23とInGaPもしくはInAlGaPからなる量子井戸層25が積層されてなり、多重横モード発振する半導体レーザにおいて、第一導電型GaAs基板21として、面方位が(100)面から(111)A面方向に13度以上55度以下で傾斜している基板を用いる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-12-14 |
| 申请日期 | 2005-05-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87049]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJIFILM HOLDINGS CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大郷 毅. 半導体レーザ. JP2006339311A. 2006-12-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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