半導体レーザ,およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 木村 達也; 小野 健一; 竹見 政義; 宮下 宗治 |
| 发表日期 | 1998-08-07 |
| 专利号 | JP1998209556A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ,およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 デバイスの信頼性を維持しつつ、素子抵抗を小さくすることができる半導体レーザ、及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 活性層3上に、キャリア濃度が4×1017cm-3であるp-AlGaInP第1クラッド層4と、キャリア濃度が6×1017cm-3であるp-AlGaInP第2クラッド層6及びキャリア濃度が1×1018cm-3であるp-AlGaInP第3クラッド層7からなるリッジ部とを設けるようにした。 |
| 公开日期 | 1998-08-07 |
| 申请日期 | 1997-01-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87058]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木村 達也,小野 健一,竹見 政義,等. 半導体レーザ,およびその製造方法. JP1998209556A. 1998-08-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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