高抵抗埋め込み半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 清水 淳一 |
| 发表日期 | 1995-03-03 |
| 专利号 | JP1995058403A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 高抵抗埋め込み半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザにおいて、活性層以外の部分を流れるリーク電流を低減することで閾値電流を低減し、また、半導体レーザに固有の容量を低減し、高速変調を可能とする。 【構成】 メサ·ストライプ構造を有する半導体レーザにおいて、第1導電型を有する基板1上に形成された活性層3の側面をMOVPE法、またはガス·ソースMBE法によって、第2の導電型を有する低濃度のInPの薄膜層6で被覆した後、さらに高純度のInAlAs7で被覆するか、或は埋め込む。 |
| 公开日期 | 1995-03-03 |
| 申请日期 | 1993-08-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87059]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 清水 淳一. 高抵抗埋め込み半導体レーザ. JP1995058403A. 1995-03-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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