半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中條 直樹; 小泉 玄太; 酒井 勝彦; 皆川 俊一 |
| 发表日期 | 1993-12-24 |
| 专利号 | JP1993343794A |
| 著作权人 | HITACHI CABLE LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 パルセーションモードで発振し、寿命特性が良く、発振しきい電流値が低く、微分量子効率が高い半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【構成】 基板1上にメサストライプ形状の光透過層6と光透過層6の周りを埋込む光吸収層7とが積層され、これら光透過層6及び光吸収層7の上部に、活性層8とクラッド層9とが順次積層された半導体レーザにおいて、光透過層6が発光される光のエネルギよりもバンドギャップのエネルギが大きい半導体で構成され、且つ光吸収層7が発光される光のエネルギよりもバンドギャップのエネルギが小さい半導体で構成される。 |
| 公开日期 | 1993-12-24 |
| 申请日期 | 1992-06-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87066]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中條 直樹,小泉 玄太,酒井 勝彦,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1993343794A. 1993-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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