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半導体光集積素子およびその製造方法

文献类型:专利

作者鶴岡 清貴; 工藤 耕治; 須藤 信也
发表日期2009-02-19
专利号JP2009038120A
著作权人NEC CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体光集積素子およびその製造方法
英文摘要(修正有) 【課題】結合損失が低減され、製造効率に優れた3つの異機能領域を有するモノリシック半導体光集積素子、およびその製造方法を提供する。 【解決手段】同一基板上の、異機能領域である第一領域、第二領域、および第三領域に、光導波路層および光導波路上部クラッド層が積層された半導体光集積素子であって、前記第一領域に第一の光導波路層が設けられるとともに、前記第二領域および第三領域にわたって、第二の光導波路層が設けられ、前記第一の光導波路層と前記第二の光導波路層は、前記第一領域と前記第二領域との界面において接合され、前記第一領域および前記第二領域にわたって、第一の光導波路上部クラッド層が設けられるとともに、前記第三領域に、第二の光導波路上部クラッド層が設けられ、前記第一の光導波路上部クラッド層と前記第二の光導波路上部クラッド層は、前記第二領域と前記第三領域との界面において接合半導体光集積素子。 【選択図】図3
公开日期2009-02-19
申请日期2007-07-31
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87072]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NEC CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
鶴岡 清貴,工藤 耕治,須藤 信也. 半導体光集積素子およびその製造方法. JP2009038120A. 2009-02-19.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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