半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 岩田 普 |
| 发表日期 | 1999-01-12 |
| 专利号 | JP1999008440A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、発光効率、温度特性や電気特性に優れ、製作の容易な半導体発光素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 第1導電型の3-5族化合物半導体基板上に、第1導電型の3-5族化合物半導体からなる3-5クラッド層と、第1導電型の3-5族化合物半導体からなる活性層と、第2導電型の2-6族化合物半導体からなる2-6クラッド層とを含む積層構造を有することを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1999-01-12 |
| 申请日期 | 1997-06-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87083]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩田 普. 半導体発光素子. JP1999008440A. 1999-01-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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