III族窒化物半導体の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 荻野 慎次 |
| 发表日期 | 1999-09-07 |
| 专利号 | JP1999243056A |
| 著作权人 | 富士電機ホールディングス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族窒化物半導体の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】シリコン基板へのIII族窒化物半導体のヘテロエピタキシにおいて、割れを防止する。 【解決手段】基板と分子線エピタキシー装置の分子線源との間に、格子状のマスクを配置し、エピタキシャル膜を小区画に分割して成長させて、内部応力を解放する。基板表面に、その上の正常なエピタキシャル成長を阻害するような酸化膜、窒化物、金属膜等の格子状の異物を設けても良い。 |
| 公开日期 | 1999-09-07 |
| 申请日期 | 1998-02-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87086]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士電機ホールディングス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荻野 慎次. III族窒化物半導体の製造方法. JP1999243056A. 1999-09-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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