半導体レ-ザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阪口 眞弓; 古山 英人; 櫛部 光弘 |
| 发表日期 | 1993-08-27 |
| 专利号 | JP1993218570A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ-ザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 しきい値電流を低く抑え、発振レーザの波長や位相にばらつきのない高性能な半導体レーザの製造方法を提供する。 【構成】 第一導電型の半導体表面上にストライプ状のマスク層を形成し、このマスク層の間隔に少なくとも電流ブロック層の1層を側面が(111)B面を呈するように選択成長させる。つぎにこのマスク層を除去した半導体基板面と前記電流ブロック層の上に全面にわたって、活性層、第2導電型のクラッド層の順に少なくとも2層よりなる多層構造膜を成長させる。 |
| 公开日期 | 1993-08-27 |
| 申请日期 | 1992-02-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87089]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阪口 眞弓,古山 英人,櫛部 光弘. 半導体レ-ザの製造方法. JP1993218570A. 1993-08-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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