半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 杉浦 勝己 |
| 发表日期 | 1994-06-10 |
| 专利号 | JP1994164060A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 InGaAs歪量子井戸活性層を有するダブルヘテロ構造半導体レーザに関し、非発光欠陥密度を低減できるクラッド層を備えた半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 少なくともInGaAs歪量子井戸活性層と、GaAs基板にほぼ格子整合したAlGaAsまたはInGaPを主成分とするクラッド層とを含むダブルヘテロ型半導体レーザにおいて、非発光欠陥の密度を低減させ得る濃度範囲で、前記クラッド層構成主成分元素より原子半径の大きな周期律表第IIIa族または第Va族の欠陥抑制元素を前記クラッド層に添加したことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1994-06-10 |
| 申请日期 | 1992-11-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87092]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 勝己. 半導体レーザ. JP1994164060A. 1994-06-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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