半導体発光素子およびその製造方法ならびに光記録および/または光再生装置
文献类型：专利
| 作者 | 石橋 晃; 谷口 理; 日野 智公; 小林 高志; 中野 一志; 中山 典一; 戸田 淳; 塚本 弘範; 牧野 桜子 |
| 发表日期 | 1998-07-21 |
| 专利号 | JP1998190154A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法ならびに光記録および/または光再生装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 特性が良好で、信頼性が高く、かつ長寿命の半導体発光素子およびその製造方法ならびにそのような半導体発光素子を発光素子として用いた光記録および/または再生装置を提供する。 【解決手段】 II-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、少なくとも活性層7にうねりを存在させ、p型コンタクト層11、12、13は平坦とする。うねりの高さの標準偏差は例えば1〜3nm程度である。また、半導体発光素子の製造において、クラッド層5、9、光導波層6、8、活性層7、p型コンタクト層11、12、13などを成長させる際のII族元素の分子線の強度に対するVI族元素の分子線の強度の比を、成長させる層に応じて変化させて最適化する。 |
| 公开日期 | 1998-07-21 |
| 申请日期 | 1997-10-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87094]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石橋 晃,谷口 理,日野 智公,等. 半導体発光素子およびその製造方法ならびに光記録および/または光再生装置. JP1998190154A. 1998-07-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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