III族窒化物レーザダイオードおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松原 邦雄; 国原 健二 |
| 发表日期 | 2000-10-06 |
| 专利号 | JP2000277861A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族窒化物レーザダイオードおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】低抵抗のp型のIII 族窒化物半導体層を有し、発振開始電流の低いIII 族窒化物レーザダイオードを提供する。 【解決手段】Alx Gay In1-x-y N(0≦x,y≦1、0≦x+y≦1)からなるp型導電性層を有するIII 族窒化物レーザダイオードにおいて、前記p型導電性層6L、7Lにはアクセプタとなるドーパントと同時にSiがドーピングされている。1は基板、2〜4はn型導電性層、5は活性層である。 |
| 公开日期 | 2000-10-06 |
| 申请日期 | 1999-03-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87118]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松原 邦雄,国原 健二. III族窒化物レーザダイオードおよびその製造方法. JP2000277861A. 2000-10-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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