半導体発光素子、半導体受光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 伴 雄三郎; 石橋 明彦; 上村 信行; 武石 英見 |
| 发表日期 | 1997-10-21 |
| 专利号 | JP1997275226A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子、半導体受光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 短い波長領域での感度が高く、しかも大きな受光電流が得られる窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている半導体受光素子、及び高い歩留まりで製造できる窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 本発明による半導体受光素子は、基板70と、該基板70上に形成されたPN接合部と、を備えた半導体受光素子であって、該PN接合部は、n型RxGa1-xN(0≦x≦1)73及びp型RyGa1-yN(0≦y≦1)74から形成されており、該Rはアルミニウムまたはホウ素を含んでいる。本発明による半導体発光素子は、シリコン基板60と、該シリコン基板60上に設けられた、窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている活性層64と、該活性層64を挟む、窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている一対のクラッド層63、65と、を備えている。 |
| 公开日期 | 1997-10-21 |
| 申请日期 | 1997-01-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87119]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伴 雄三郎,石橋 明彦,上村 信行,等. 半導体発光素子、半導体受光素子及びその製造方法. JP1997275226A. 1997-10-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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