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光集積回路およびその製造方法

文献类型:专利

作者森戸 健
发表日期1995-10-13
专利号JP1995263655A
著作权人FUJITSU LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光集積回路およびその製造方法
英文摘要【目的】 バットジョイント型の光集積回路を、接合部に異常成長を生じることなく、高い光結合効率を有するように形成することを目的とする。 【構成】 基板上に形成された第1の半導体層上に第1の領域を保護するマスクをほどこし、ドライエッチング法により、第2の領域から半導体層を選択的に除去し、さらに、前記第2の領域に、前記第1の半導体層に対応する構成の第2の半導体層をMOCVD法により、前記第1の半導体層と端面において連続するように堆積させる。
公开日期1995-10-13
申请日期1994-03-18
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87124]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位FUJITSU LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
森戸 健. 光集積回路およびその製造方法. JP1995263655A. 1995-10-13.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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