半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 福永 秀樹; 大竹 茂行 |
| 发表日期 | 1994-01-14 |
| 专利号 | JP1994005969A |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 埋め込み型半導体レーザにおいて、低しきい値でかつ安定な横モードを得る。 【構成】 (111)A面を有する(001)面n型GaAs基板1上のクラッド層2および5の間の(111)A面に光導波層3、量子井戸活性層4からなる活性領域を埋め込むと共に、クラッド層5上にキャップ層6を、さらに(111)A面を除く(001)面に電流ブロック層7を設ける。結晶成長が行われる面の結晶方位は(001)と(111)Aと決まっているため、成長条件を決めるとそれぞれの面上での結晶成長速度が決まり、膜厚や活性領域の幅などを細かく制御することができる。また(111)A面の斜面上のみに活性領域が形成されているため、注入された電流のうち上部クラッド層で横方向に拡散した電流の再結合を抑制することができる。 |
| 公开日期 | 1994-01-14 |
| 申请日期 | 1992-06-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87131]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福永 秀樹,大竹 茂行. 半導体レーザ装置. JP1994005969A. 1994-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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