半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 駒崎 岩男 |
| 发表日期 | 1993-09-10 |
| 专利号 | JP1993235472A |
| 著作权人 | OLYMPUS OPTICAL CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、単一モード制御発振を得ることができ、かつ熱発生に伴う歪,転位の界面への集中を回避して高信頼性,高出力,低非点収差にすることを主要な目的とする。 【構成】第1導電型のGaAs基板(21)上に、第1導電型の第1クラッド層(22)、前記基板と同程度のバンドギャップを有する半導体層よりなる活性層(23)及び第2導電型のメサ状第2クラッド層(24)を設け、かつ前記第2クラッド層を第1導電型の電流ブロック層で埋めてなる半導体レーザにおいて、前記第2クラッド層(24)と電流ブロック層(26)との間に、所定の性質をもつ第2導電型のGaAs層(27)を設けたことを特徴とする半導体レーザ。 |
| 公开日期 | 1993-09-10 |
| 申请日期 | 1992-02-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87134]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OLYMPUS OPTICAL CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 駒崎 岩男. 半導体レーザ. JP1993235472A. 1993-09-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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