半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 菊川 知之; 川面 英司 |
| 发表日期 | 1993-04-09 |
| 专利号 | JP1993090706A |
| 著作权人 | ANRITSU CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】活性層における等価屈折率差により、光の閉じ込め率を向上させて、横モードを安定させ、しきい値電流の低減と発光効率の増大を達成した。 【構成】活性層3の上部または下部にあるクラッド層2、6の内部にあり、電流が流れる領域を一定領域に制限する電流ブロック層5の禁制帯幅をクラッド層2、6よりも広くし、また電流ブロック層5の屈折率をクラッド層より低くした。また、電流ブロック層5を活性層3のごく近傍に配した。 |
| 公开日期 | 1993-04-09 |
| 申请日期 | 1991-09-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87138]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ANRITSU CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菊川 知之,川面 英司. 半導体レーザ素子. JP1993090706A. 1993-04-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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