導波路型光集積回路素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 河西 秀典; 下中 淳 |
| 发表日期 | 1999-01-22 |
| 专利号 | JP1999014842A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 導波路型光集積回路素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザと光導波路の接続部における光損失を最小限に抑えることができ、結果的に消費電力を低減でき、信頼性を向上できる導波路型光集積回路素子を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ200と光導波路300の接合領域を幅2μmにわたって垂直にエッチングし、エッチングした領域に、MOCVD法によってAl混晶比0.2のAlGaAs層400を埋め込み成長させる。 |
| 公开日期 | 1999-01-22 |
| 申请日期 | 1997-06-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87151]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河西 秀典,下中 淳. 導波路型光集積回路素子及びその製造方法. JP1999014842A. 1999-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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