埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 池谷 晃; 菊田 俊夫 |
| 发表日期 | 1993-04-23 |
| 专利号 | JP1993102608A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有)
【目的】 同一ウエハから均一の特性を有する埋め込み型半導体レーザ素子を歩留りよく作製する。
【構成】 GaInP、又は、GaInAsPから成る活性層5の上下に配置されたInPから成る上部クラッド層6、および下部クラッド層4と、p-n接合により電流狭窄を行うブロッキング層8,9,10とがInPから成る半導体基板2の上側に設けられた埋め込み型半導体レーザ素子1の製造方法において、半導体基板2上にGaX In1-X AsY P1-Y (0 |
| 公开日期 | 1993-04-23 |
| 申请日期 | 1991-10-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87154]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 池谷 晃,菊田 俊夫. 埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法. JP1993102608A. 1993-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。