AlGaInP半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 小林 健一 |
| 发表日期 | 1994-08-23 |
| 专利号 | JP1994237038A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | AlGaInP半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】AlGaInP半導体レーザを高温動作させたときの発振しきい値の上昇を少なく押えることを目的とする。 【構成】pーAlGaInPクラッド層4中であって、活性層1に隣接する位置に、AlGaInP多層薄膜構造2を配置する。この多層薄膜構造2を構成しているAlGaInP層のうちAl組成の小さい層に引っ張り歪を導入し、活性層1へのZn拡散抑制層としての機能を持たせ、Pクラッド層4中のZnアクセプタ濃度の特性悪化発生上限濃度を高め、その上限近くアクセプタ濃度を高め、キャリアオーバフローを抑制し、高温動作時のしきい値上昇を押える。 |
| 公开日期 | 1994-08-23 |
| 申请日期 | 1993-02-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87156]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 健一. AlGaInP半導体レーザ素子. JP1994237038A. 1994-08-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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