Inを含むp型III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体発光装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 玉村 好司 |
| 发表日期 | 1999-04-30 |
| 专利号 | JP1999121872A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Inを含むp型III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体発光装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 層全体の結晶性が良好なInを含むp型III-V族化合物半導体層を成長させることができる成長方法およびそのような成長方法を用いた半導体発光装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 AlGaInP系半導体レーザの製造において、活性層14を成長させた後に、アクセプタとしてZnを用いてp型(Alx Ga1-x )z In1-z Pクラッド層15を成長させるとき、その成長初期に、成長温度に応じて、成長原料の全供給量に対するIn原料、例えばTMInの供給量の比率を徐々に増加または減少させ、成長に伴うp型(Alx Ga1-x )z In1-z Pクラッド層15におけるZnの濃度変化によるInの取り込み量の変化を打ち消す。 |
| 公开日期 | 1999-04-30 |
| 申请日期 | 1997-10-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87166]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉村 好司. Inを含むp型III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体発光装置の製造方法. JP1999121872A. 1999-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。