発光素子用ErドープGaAs結晶及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 竹田 美和; 田渕 雅夫; 園山 貴広; 槇 英信; 小川 和男 |
| 发表日期 | 2004-03-11 |
| 专利号 | JP2004079684A |
| 著作权人 | JAPAN SCIENCE & TECHNOLOGY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 発光素子用ErドープGaAs結晶及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】発光強度の強い、発光素子用ErドープGaAs結晶及びその製造方法を提供する。 【解決手段】Er原子が、GaAs結晶の格子間位置に配位した発光素子用ErドープGaAs結晶3を提供する。Ga原子、As原子及びEr原子を分子線源とし、(001)面方位GaAs基板2上、または(001)面方位エピタキシャル成長層上に、分子線源の蒸発速度と、エピタキシャル成長温度とを同時に制御してエピタキシャル成長し、Er原子をGaAs結晶の格子間位置に配位させることにより製作できる。格子間位置に配位するEr原子の添加密度が、3×1018〜4×1019cm-3であり、結晶成長温度が300℃から400℃が好ましい。Erによる5μm帯の高強度の発光が得られる。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-03-11 |
| 申请日期 | 2002-08-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87169]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | JAPAN SCIENCE & TECHNOLOGY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹田 美和,田渕 雅夫,園山 貴広,等. 発光素子用ErドープGaAs結晶及びその製造方法. JP2004079684A. 2004-03-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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