半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 廣野 卓夫; 大橋 弘美; 関 俊司 |
| 发表日期 | 1996-02-27 |
| 专利号 | JP1996056044A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 p領域から離れた量子井戸に十分なホール注入が行えるような量子井戸構造を有する半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】 半導体レーザ装置は結晶成長基板8上に下部クラッド層7、下部ガイド層6、活性層5、上部ガイド層4、上部クラッド層3、キャップ層2を順次結晶成長させ上部電極1、下部電極9をキャップ層2および結晶成長基板8の裏面上にそれぞれ設けてなる。この活性層は量子井戸層とこれより大なるバンドギャップを有する障壁層との間に遷移層を有し、その遷移層のバンドギャップの大きさは量子井戸層のバンドギャップに等しい値から障壁層のバンドギャップに等しい値まで連続的かつ単調に変化している。 |
| 公开日期 | 1996-02-27 |
| 申请日期 | 1994-08-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87170]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廣野 卓夫,大橋 弘美,関 俊司. 半導体レーザ装置. JP1996056044A. 1996-02-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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